【硅基量子芯片中自旋轨道耦合强度高效调控实现】财联社5月5日电，从中国科学技术大学获悉，该校郭光灿院士团队郭国平教授、李海欧教授等人与合作者携手，在硅基锗空穴量子点中实现了自旋轨道耦合强度的高效调控，这对该体系实现自旋轨道开关以及提升自旋量子比特的品质具有重要的指导意义。研究成果日前在线发表在国际应用物理知名期刊《应用物理评论》上。